近来，记者走进山东国晶电子科技有限责任公司坐落东营高新技能工业开发区的无尘化车间，看到工人正在有条有理地操作一台大型机器。“别看机器大，研制作业却非常精密，为的是一种小晶体。”公司董事长袁占魁告知记者。

  袁占魁口中的“小晶体”指的是碳化硅（SiC），是一种硬度仅次于金刚石的半导体。“晶体虽小，身手可不小。”袁占魁介绍，碳化硅功率器材具有高耐压、低损耗、高导热率等优异功能，能够有用完成电力电子体系的高效率、小型化和轻量化，是新能源轿车、5G通讯、智能电网等未来支柱工业必不可少的中心半导体质料。

  “晶体虽好，但要打破国外的独占很不简单。”袁占魁说，把握老练工艺的少量国家一向施行严厉的科技壁垒方针，想要在竞赛中取胜，自主研制是仅有的取胜法门。

  成立于2018年的国晶电子，从事第三代半导体高纯碳化硅微粉出产、碳化硅单晶炉的研制制作，“咱们的生长速度很快，现在，已能自主研制制作5N碳化硅微粉和6英寸双坩埚碳化硅单晶炉，一台单晶炉可一起生长两个晶体，填补了国内工业链要害设备的空白。”袁占魁慨叹地说，“这中心政府没少给咱们协助！”

  2018年5月，国晶电子第三代半导体晶体资料的项目建造之初，东营区有关部门第一时刻安排专家团队进行调查、证明，在此基础上，对项目的市场需求、未来开展等提出了辅导定见。“东营区政府竭尽全力让咱们开展，以注资参股的方式参加，并许诺公司开展老练后退出。在建造厂房、手续批阅、融资上市等一切的环节进行全方位服务。因而，咱们才能够把首要精力都放在研制上。否则，现在或许还在项目的前期建造中，政府的协助为咱们争夺到一年多的研制时刻。”对高科技来说，时刻便是要害，这一年多的时刻也让国晶电子把握了竞赛的主动权。现在的国晶电子，仅用了不到一年时刻就建成了一条5N高纯碳化硅微粉出产线英寸碳化硅单晶生长研制中心，打破了国外的技能独占。

  “由于长晶周期是七天，期间电不能断，否则将形成不可估量的丢失。政府知道后，用了不到一个月就和谐安装了双回路电源。”袁占魁说。

  展望未来，袁占魁决心满满：“有了政府的保驾护航，咱们要尽力让小晶体完成一番大作为。咱们方案未来2年内建成年产100吨高纯度5N碳化硅单晶质料出产线英寸碳化硅单晶炉设备制作出产线亿元。”

  碳化硅被称为“要害战略资料”，把握研制技能，获益的不单单是一家公司，更将影响我国在国际上的科技话语权。面临当下换道超车、重塑国际半导体工业格式的重要时刻窗口，国晶电子是走运的。它获得了政府实实在在的协助，快速缩短了运转周期，争夺到了以年为单位的研制时刻。方针惠企，要从点滴做起。让好方针能落地生根，帮企业加快生长，或许正是从政府多操心企业少跑腿开端的。