需求的两层效果，导致了关于可用于构建更高效和更紧凑电源解决方案的半导体产品具有巨大的需求。这个需求宽带隙（WBG）

  （Hybrid SiC Discrete Devices）将新式场截止IGBT

  的宽禁带（3.26eV）、高临界场（3×106V/cm）和高导热系数（49W/mK）使功率半导体

  ，首要体现在GS注册电压、GS关断电压、短路维护、信号推迟和抗干扰几个方面，详细如下

  、功用和可靠性的进步，其功用得到必定的改进，可靠性得到了证明，在列表中的位置调高了，现在已被视为现有旧

  MOSFET产业链介绍 /

  在功率模块中的功用，特别是SEMITRANS 3模块和SEMITOP E2无基板模块。分立

  （SiC）？ 跟传统半导体资料硅比较，它在击穿场强、禁带宽度、电子饱满速度、熔点以及热导率方面都有优势。 比方，在相同耐压等级条件下，Si-MOSF

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