半导体是一种介于导体与绝缘体之间的资料，它具有导电性可控的特色。当半导体受外界光和热的影响时，其导电才能将会有明显改变，在纯洁半导体中加入微量杂质，其导电才能会急剧增强。自科学家法拉第发现硫化银以来，半导体资料硅、锗、硼、锑、碳化硅和氮化镓等相继被发现与运用。

  咱们日子的方方面面不能脱离半导体技能，电器、灯火、手机、电脑、电子设备等都需求半导体资料制作，碳化硅（SIC）与氮化镓（GaN）归于第三代半导体资料，很有宽广的运用远景。

  碳化硅与氮化镓均归于宽禁带半导体资料，它们具有禁带宽度大、电子漂移饱满速度高、介电常数小、导电性能好的特色。随商场对半导体器材微型化、导热性的高要求，这类资料的商场需求暴升，适用于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器材。

  碳化硅又名金刚砂，是用石英砂、石油焦、木屑等质料经过电阻炉高温锻炼而成。碳化硅在大自然也存在稀有的矿藏——莫桑石，在今世C、N、B等非氧化物高技能耐火质猜中，碳化硅为运用最广泛、最经济的一种。目前我国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方晶体。

  氮化镓是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体，该化合物结构相似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，能够用在高功率、高速的光电元件中，如氮化镓能够用在紫光的激光二极管，能够在不运用非线性半导体泵浦固体激光器的条件下，发生紫光激光。

  碳化硅是当时开展最老练的宽禁带半导体资料，国际各国对碳化硅的研讨很注重，美欧日等不仅从国家层面上拟定了相应的研讨规划，碳化硅资料可运用于功用陶瓷、耐火资料、冶金质料等运用领域。

  碳化硅器材的开展难题不是规划难题，而是完成芯片结构的制作流程与工艺，如碳化硅晶片的微管缺点密度、外延工艺功率低、掺杂工艺的特别的条件、配套资料的耐温等。

  氮化镓是研发微电子器材、光电子器材的新式半导体资料，在光电子、激光器、高温大功率器材和高频微波器材运用方面有着宽广的远景。

  氮化镓资料的开展难题一是怎么取得高质量、大尺度的GaN籽晶，由于直接选用氨热办法培养一个两英寸的籽晶需求几年时刻，二是氮化镓工业链没有彻底构成。

  总结：随国家对第三代半导体资料的注重，近年来，我国半导体资料商场开展迅速。其间以碳化硅与氮化镓为主的资料十分重视。尽管如此，但工业难题仍待处理，如我国资料的制作工艺和质量并未到达国际尖端，资料制作设备依赖于进口严峻，碳化硅与氮化镓资料和器材方面工业链没有构成等，这样一些问题需逐渐处理，方可让国产半导体资料屹立于国际顶尖队伍。