以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体工业是全球战略竞赛新的制高点。SiC器材具有极高的耐压水平缓单位体积内的包括的能量，可大大下降能量转化损耗和设备的体积分量，满意电力传输、机车索引、新动力轿车、现代国防武器配备等严重战略范畴对高性能、大功率电力电子器材的火急需求，被誉为带动“新动力革新”的“绿色动力”器材。但长期以来，我国SiC器材的研制出产首要依靠进口。SiC器材要害配备的成功研制对加速处理全工业链的自主保证、下降出产线建造与运营本钱、促进工业技术进步和加速速度进行开展壮大等方面具有严重的推进效果。

  在国家863方案支持下，经过我国电子科技集团公司第四十八研讨所为牵头单位的课题组不懈努力，成功研制出适用于4-6英寸SiC资料及器材制作的高温高能离子注入机、单晶成长炉、外延成长炉等要害配备并完成开始使用。该课题近期经过科技部检验，研讨成果有力保证了我国SiC电力电子器材工业“资料—配备—器材”自主可控开展。