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  • 【48812】SiC外延设备厂商芯三代发动上市教导
来源:碳化硅密封件    发布时间:2024-04-24 01:33:14
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  致力于第三代半导体关键设备碳化硅(SiC)外延设备的研制和工业化的芯三代发动上市。

  2月18日音讯,芯三代半导体科技(姑苏)股份有限公司(简称“芯三代”)在江苏证监局进行教导存案挂号,教导组织为海通证券。

  芯三代成立于2020年,致力于研制出产半导体相关专业设备,现在聚集于第三代半导体SiC-CVD配备,倾力为业界供给先进且赋有竞争力的量产配备。SiC-CVD设备用于碳化硅衬底上同质单晶薄膜外延层的成长,SiC外延片大多数都用在制作功率器材如肖特基二极管、IGBT、MOSFET等电子器材。

  据悉,芯三代将工艺和设备紧密结合研制的SiC-CVD设备经过温场操控、流场操控等方面的规划,在高产能、6/8英寸兼容、CoO本钱、长期多炉数接连主动成长操控、低缺点率、保护便利性和可靠性等方面都有着十分显着的优势。

  揭露信息显现,2023年下半年,芯三代自主研制的8英寸笔直气流外延设备现已协助两家客户顺利完结8英寸SiC外延工艺的调试和第一批8英寸外延片订单交给,然后证明国产外延设备不仅在6英寸SiC上现已完结逾越,在8英寸SiC上也获得突破性发展,尤其在缺点率指标上更胜一筹。

  据了解,获益于碳化硅下流商场需求逐渐扩大,外延成长在SiC器材制作本钱中占比超20%,SiC外延设备是第三代半导体SiC器材制作的中心配备之一,下流商场的飞速增加,不断的扩产需求也助推了碳化硅外延设备的商场增加,国内的外延设备企业纷繁开端推进布局。

  据InSemi的碳化硅设备商场陈述,国内当时碳化硅外延设备的公司数已挨近10余家,国产设备的占比在不断的进步,2023年国产设备出货量占比已全面逾越海外。

  融资方面,企查查显现,芯三代已获得多轮融资,其间2021年12月和2023年6月融资金额别离到达超亿元和数千万元(人民币,下同)。详细来看,2023年上半年,芯三代密布完结4轮融资,出资方包含毅达本钱、海富工业基金、上海桦昀、德观财物、浑璞出资、唐兴本钱、汇添富本钱、华泰紫金出资等很多组织。

  教导文件显现,芯三代操控股权的人为施建新,直接和直接持有公司51.99%的股份。

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