碳化硅在足够高的温度下或较低的氧分压下SiC外表上会生成一种挥发性的SiO或许生成的SiO膜被环境腐蚀，这导致碳化硅资料被快速氧化(活性氧化ActiveOxidation)。而碳化硅资料在运用的进程中经常会遇到这一种环境。因为碳化硅在活性氧化时没办法构成SiO:保护膜丧失了钝性氧化时的较好的抗氧化特性产生快速氧化的现象导致碳化硅资料的功能大幅度下降。 Kim和Moorhead的研讨”标明在钝性氧化条件下 SiC资料的强度改变不大而当产生了活性氧化后资料强度下降.在1400℃Po为1.5x10MPa(刚低于活性氧化到钝性氧化的临界氧分压)下仅20h强度就下降约50%因而SC的活性氧化是约束其使用的一个严重问题.

  实际上碳化硅的活性氧化一般只产生在很低的氧分压情况下一般低于100Pa以下在常压下.碳化硅的活性氧化不会产生航天用飞行器的部件其工作环境有或许满意以上低氧分压条件因而碳化硅制部件的氧化问题就一定要引起注重Vaughn和 Maohs3发现气流量的添加将使钝性氧化到活性氧化的改变点移到更高的温度区。所以会加快碳化硅的腐蚀。