氮化硅坩埚
  • 国内首创大尺寸扩径技术江苏超芯星推出大尺寸碳化硅单晶衬底材料
来源:氮化硅坩埚    发布时间:2024-01-13 06:47:49
产品详情

  集微网消息,日前,江苏超芯星半导体有限公司成功推出大尺寸(6-8英寸)碳化硅单晶衬底材料。据光明日报报道,这也是国内首创大尺寸扩径技术。

  碳化硅是目前最为成熟、商业前景最明朗的第三代半导体材料,堪称半导体产业内新一代“黄金赛道”。相比传统的硅半导体材料,碳化硅拥有3倍的禁带宽度、3倍的热导率、10倍的击穿场强、以及10倍的电子饱和漂移速率。

  目前,全球碳化硅衬底主要来自美国Cree和II-VI企业,已实现6英寸碳化硅单晶衬底规模化量产,并计划几年内升级为8英寸,大尺寸化趋势已经形成。

  江苏超芯星半导体有限公司今年4月落户于仪征经济开发区,主要从事第三代半导体材料碳化硅的研发与产业。

  据悉,超芯星目前有计划建设第三代半导体碳化硅材料项目,建设地位于仪征市经济开发区,建成后形成年产0.05吨第三代半导体材料碳化硅晶体的生产能力。(校对/图图)

  中科南京智能技术研究院类脑超级计算机研制取得进展:已完成相关类脑芯片流片工作