1974年经过在高纯度β－SiC细粉中一起参加少数的B和C，选用无压烧结工艺，于2020℃成功地取得高密度SiC陶瓷。现在，该工艺已成为制备SiC陶瓷的首要办法。研讨者以为：晶界能与外表能之比小于1．732是细密化的热力学条件，当一起增加B和C后，B固溶到SiC中，使晶界能下降，C把SiC粒子外表的SiO2复原除掉，进步外表能，因而B和C的增加为SiC的细密化发明了热力学方面的有利条件。但是，日本研讨人员却以为SiC的细密并不存在热力学方面的约束。还有学者觉得，SiC的细密化机理可能是液相烧结，他们发现：在一起增加B和C的β－SiC烧结体中，有富B的液相存在于晶界处。关于无压烧结机理，现在尚无结论。以α－SiC为质料，一起增加B和C，也相同可完成SiC的细密烧结。

  研讨标明：独自运用B和C作增加剂，无助于SiC陶瓷充沛细密。只要一起增加B和C时，才干完成SiC陶瓷的高密度化。为了SiC的细密烧结，SiC粉料的比外表积应在10m2／g以上，且氧含量尽可能低。B的增加量在0．5％左右，C的增加量取决于SiC质猜中氧含量凹凸，一般C的增加量与SiC粉猜中的氧含量成正比。

  最近，有研讨者在亚微米SiC粉猜中参加Al2O3和Y2O3，在1850℃～2000℃温度下完成SiC的细密烧结。因为烧结温度低而具有显着细化的微观结构，因而，其强度和耐性大大改进。

  50年代中期，就开端研讨B、Ni、Cr、Fe、Al等金属增加物对SiC热压烧结的影响。试验标明：Al和Fe是促进SiC热压细密化的最有用的增加剂。

  有研讨者以Al2O3为增加剂，经过热压烧结工艺，也完成了SiC的细密化，并以为其机理是液相烧结。此外，还有研讨者别离以B4C、B或B与C，Al2O3和C、Al2O3和Y2O3、Be、B4C与C作增加剂，选用热压烧结，也都取得了细密SiC陶瓷。

  研讨标明：烧结体的显微结构和力学、热学等功能会因增加剂的品种不同而异。如：当选用B或B的化合物为增加剂，热压SiC的晶粒尺度较小，但强度高。当选用Be作增加剂，热压SiC陶瓷具有较高的导热系数。

  近年来，为进一步提高SiC陶瓷的力学功能，研讨人员进行了SiC陶瓷的热等静压工艺的研讨工作。研讨人员以B和C为增加剂，选用热等静压烧结工艺，在1900℃便取得高密度SiC烧结体。更进一步，经过该工艺，在2000℃和138MPa压力下，成功完成无增加剂SiC陶瓷的细密烧结。

  研讨标明：当SiC粉末的粒径小于0．6μm时，即便不引进任何增加剂，经过热等静压烧结，在1950℃即可使其细密化。如选用比外表积为24m2／g的SiC超细粉，选用热等静压烧结工艺，在1850℃便可取得高细密度的无增加剂SiC陶瓷。别的，Al2O3是热等静压烧结SiC陶瓷的有用增加剂。而C的增加对SiC陶瓷的热等静压烧结细密化不起作用，过量的C甚至会按捺SiC陶瓷的烧结。

  SiC的反响烧结法最早在美国研讨成功。反响烧结的工艺进程为：先将α－SiC粉和石墨粉按份额混匀，经干压、揉捏或注浆等办法制造而成多孔坯体。在高温下与液态Si触摸，坯体中的C与进入的Si反响，生成β－SiC，并与α－SiC相结合，过量的Si填充于气孔，然后得到无孔细密的反响烧结体。反响烧结SiC一般含有8％的游离Si。因而，为确保渗Si的彻底，素坯应有足够的孔隙度。一般是经过调整开始混合猜中α－SiC和C的含量，α－SiC的粒度级配，C的形状和粒度以及成型压力等手法来取得恰当的素坯密度。

  试验标明，选用无压烧结、热压烧结、热等静压烧结和反响烧结的SiC陶瓷具有各异的功能特色。如就烧结密度和抗弯强度来说，热压烧结和热等静压烧结SiC陶瓷相对较多，反响烧结SiC比较来说较低。另一方面，SiC陶瓷的力学功能还随烧结增加剂的不同而不同。无压烧结、热压烧结和反响烧结SiC陶瓷对强酸、强碱具有十分杰出的抵抗力，但反响烧结SiC陶瓷对HF等超强酸的抗蚀性较差。就耐高温功能比较来看，当温度不高于900℃时，简直一切SiC陶瓷强度均有所进步；当温度超越1400℃时，反响烧结SiC陶瓷抗弯强度急剧下降。（这是因为烧结体中含有必定量的游离Si，当超越必定温度抗弯强度急剧下降所造成的）关于无压烧结和热等静压烧结的SiC陶瓷，其耐高温功能首要受增加剂品种的影响。

  总归，SiC陶瓷的功能因烧结办法不同而不同。一般说来，无压烧结SiC陶瓷的归纳功能优于反响烧结的SiC陶瓷，但次于热压烧结和热等静压烧结的SiC陶瓷。